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可控硅IGBT(20)
- 可控硅(晶闸管)模块(20)
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产品信息
F4-100R12KS4 参数
制造商Infineon
产品IGBT Silicon Modules
配置Quad
集电*—发射**大电压 VCEO1200 V
Continuous Collector Current at 25 C130 A
*大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体Econo 3
栅*/发射**大电压+/- 20 V
*小工作温度- 40 C
安装风格Screw
标准包装：10
型号（2单元）IGBT 技术指标
FF150R12KE3G 150A/1200V/2U
FF200R12KE3 200A/1200V/2U
FF300R12KE3 300A/1200V/2U
FF400R12KE3 400A/1200V/2U
FF400R16KF4 400A/1600V/2U